10.3969/j.issn.1007-1180.2005.09.005
光刻技术及其新进展
介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程,阐述了当前光刻工艺的主流,并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战.
光刻、集成电路、线宽
TN305.7(半导体技术)
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
12-15
10.3969/j.issn.1007-1180.2005.09.005
光刻、集成电路、线宽
TN305.7(半导体技术)
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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