具有相分离InGaN有源层的白光发光二极管

摘要：

韩国Kwangju理工学院光电子材料中心和材料科学工程系利用相分离InGaN有源层,无需添加荧光材料,制造出了白光发光二极管.这种二极管的白光发射归因于分离相InGaN三元合金中铟组分和类量子点富铟区域尺寸的宽分布.

机标关键词：荧光材料、量子点、科学工程、材料科学、白光发射、光电子材料、三元合金、理工学院、分离相、kwangju

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：18-20