远紫外光刻技术的发展趋势及进展

摘要：

@@ 1前言
至今光刻技术仍是工业用来制作集成电路的优先应用技术.过去光刻的分辨率是靠减小曝光波长和增大透镜的数值孔径来改善的(R=k1λ/NA).近年来,这种趋势仍然如此.最新介绍的用于批量生产的NA248 nm步进/扫描系统及实验生产用的第一代全视场193 nm步进/扫描系统可证实这一点.

机标关键词：紫外光刻技术、技术的发展趋势、远紫外

所属期刊栏目：17

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11