掺锰p-GaSe层状半导体的辐射中心

摘要：

@@ 采用光致发光(PL)测量法研究了掺锰(0.1～1 at.%)GaSe的发射带,根据PL强度与温度的关系曲线、峰值能量与锰浓度的函数关系和激发光谱得出,1.82 eV发射带是因导带至受主能级(在价带以上0.30 eV)的跃迁引起的.

机标关键词：层状半导体、辐射中心、p-gase

所属期刊栏目：17

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：21-22