10.3969/j.issn.1007-1180.2000.04.006
X射线光刻技术的现状
@@ 1概述
X射线光刻技术(XRL)是刻制130 nm,100 nm和70 nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193 nm ArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70 nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.
x射线光刻技术
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TN2(光电子技术、激光技术)
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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