宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展

摘要：

本文简要介绍了我们在宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果:第一,明确提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族晶体直接带跃迁来获得在室温和电场激发下自由激子发射的物理思想;第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段区以及具有ns和ps量级响应的光双稳的物理思想.

机标关键词：光学性能、低维结构、结构材料、半导体光电子学、物理思想、自由激子发射、激子效应、超晶格、光双稳、发光学

所属期刊栏目：17

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6-9