10.3969/j.issn.1674-0475.2007.03.007
光致变色二芳烯掩膜及在近场光存储中的应用
合成了在超分辨率近场结构(Super-RENS)存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯,旋涂法制备了实验存储盘片,并进行了近场存储实验.初步的实验表明,光致变色二芳烯掩膜层可以缩小聚焦激光的直径,得到小尺寸记录信息.掩膜层中二芳烯的浓度,对近场存储结果影响很大,存在一个最佳浓度使记录光斑的尺寸减少到最小.
物理化学、光致变色、超分辨掩膜、超分辨率近场结构
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TQ57
国家自然科学基金20333080;20572059;20502013;北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室基金KF050302
2007-06-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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