金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜

摘要：

以氢气稀释的硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.

关键词：金属铝诱导晶化、快速退火、a-Si薄膜、poly-Si薄膜

所属期刊栏目：24

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：教育部重点实验室基金SYSJJ2005-12

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：87-92