缓冲层用于改善硅基氮化镓外延薄膜质量

摘要：

介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题.详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN,及其所取得的最新成果.对缓冲层降低应力的机制进行了说明.

关键词：缓冲层、GaN、Si、MOCVD

所属期刊栏目：18

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关计划00-068

在线出版日期：2005-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：20-25