GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

摘要：

分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素.对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8 nm、10 nm、12 nm时,10 K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42 meV、6.28 meV、6.28 meV.

关键词：量子阱、光荧光(PL)谱、Ⅴ/Ⅲ束流比

所属期刊栏目：18

分类号：TN304.07(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金ZS3603

在线出版日期：2005-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：23-25