半导体纳米晶光电性能的研究进展

摘要：

综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能.这些研究表明,对于0～3 nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一.对纳米晶体结构和性能的深入研究,能为光电子材料的发展提供新的途径和思路.

关键词：半导体纳米晶、尺寸效应、光电子性质

所属期刊栏目：18

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市科委项目

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5