RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究

摘要：

采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具.通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率.RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层.实验测量GaAs的生长周期为0.82 s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35 s,每秒沉积0.43单分子层.

关键词：反射式高能电子衍射仪、分子束外延、半导体材料

所属期刊栏目：18

分类号：TN304.07(半导体技术)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）60306004

在线出版日期：2005-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：50-52