光折变晶体的光电导及陷阱密度
通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10 A·m-2.实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1.在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大.
光折变晶体、光电导、全息光栅、陷阱密度
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O434.14(光学)
国家高技术研究发展计划(863计划)2002AA311190
2005-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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