基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究

摘要：

采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系.为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据.

关键词：垂直腔面发射半导体激光器、阈值电流密度、最佳阱数、腔长、端面反射率

所属期刊栏目：18

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家科技攻关计划00-068

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26