反射式光耦的CTR工艺控制
文章介绍了光电耦合器结构及其CTR参数,分析红外发光芯片和光敏接收芯片对光耦CTR值影响,重点讨论了工艺上内点胶操作与CTR的关系,提出了内点胶操作所形成光学通道的椭圆模型理论和各种点胶方式,并用实验进行验证和说明.最后总结出在生产过程中控制CTR值的芯片配对方案和工艺操作方法.
光耦、CTR、工艺、芯片、点胶
17
TN305(半导体技术)
2004-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
21-25
光耦、CTR、工艺、芯片、点胶
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TN305(半导体技术)
2004-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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