卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究
通过测量卢瑟福背散射沟道谱和随机谱,掌握了一种可以对制作离子注入型半导体可饱和吸收镜过程中离子注入的剂量进行选择的方法.
卢瑟福背散射实验沟道效应、半导体可饱和吸收镜、离子注入
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TN365(半导体技术)
2004-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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卢瑟福背散射实验沟道效应、半导体可饱和吸收镜、离子注入
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TN365(半导体技术)
2004-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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