980nm高功率列阵半导体激光器

摘要：

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(100 Hz,100μs)输出功率达到80 W(室温),峰值波长为978～981 nm.

关键词：分子束外延、列阵、半导体激光器

所属期刊栏目：14

分类号：TN24(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省科技发展计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-30