场助光电阴极研究进展

摘要：

对场助光电阴极的发展进行回顾,介绍了场助光电阴极的工作原理,系统总结了三种具有代表性的阴极结构,分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极.InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点,这种结构大多用于长波阈值达到1.3 μm的场助光电阴极;InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度,响应时间快,有利于在条纹变像管中应用;InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层In-AsP渐变层,对延长波长阈值非常有利,通过分析不同结构的特点及应用,讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点.

关键词：场助光电阴极、转移电子光电阴极、铟镓砷、磷化铟

所属期刊栏目：42

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省双千计划项目

在线出版日期：2023-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：248-253,266