双层有源氧化物IGZTO TFT的光照特性研究

摘要：

研究了 一种双层有源层的氧化物IGZTO TFT器件在光照下的特性,对比单层有源层的氧化物TFT,这种双层有源层的氧化物上层比较稳定,光照下产生的光生空穴与 自由电子复合的数量大大减少,起导电作用的空穴载流子较多,故表现出了较大幅度的电流提升.进一步的研究展示了这种双层有源氧化物TFT在不同光照条件下的特性曲线,可为光敏器件提供不同的应用场景.

关键词：双层有源层、铟镓锌锡氧化物、薄膜晶体管、光照特性

所属期刊栏目：42

分类号：TN141(真空电子技术)

在线出版日期：2022-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：218-221