基于光刻工艺的高分辨全彩QLED器件制备与性能优化

摘要：

采用基于光酸反应的光刻工艺,获得均匀的红、绿、蓝三基色量子点薄膜作为发光层,成功制备出高分辨全彩QLED器件(子像素宽度5 μm).通过对光刻量子点表面进行配体钝化,并引入电荷阻挡层以降低非发光区的漏电流,明显提升了全彩QLED的器件性能,所制备器件的最大亮度为23 831 cd/m2,外量子效率为3.78％.

关键词：光刻、像素化、光酸反应、量子点发光器件

所属期刊栏目：42

分类号：TN27(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金62075043

在线出版日期：2022-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：176-180