Zn-,Be-掺杂以及Zn-H-,Be-H-共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的第一性原理研究

摘要：

基于第一性原理计算得到了 Zn-,Be-掺杂以及Zn-H-,Be-H-共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的形成能、原子结构、能带结构、态密度以及复折射率.结果表明Zn原子更容易作为代位式掺杂原子存在,而Be原子更容易表现为间隙式掺杂原子.代位式的Be和Zn原子都作为受主杂质存在,使GaAs0.5P0.5材料呈现p型导电特性.然而间隙式Be原子使得费米能级进入导带,材料表现出n型导电特性.掺杂原子Zn和Be旁边加入H原子使得掺杂原子失去受主特性,费米能级重新回到带隙中,材料变成本征半导体,即H原子将p型杂质钝化.在0～3 eV能量范围,代位式Zn原子和Be原子使得材料折射率明显增大,呈现反常色散特性.

关键词：第一性原理、GaAs0.5P0.5材料、掺杂与共掺杂、能带结构、复折射率

所属期刊栏目：41

分类号：O462.3(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金青年基金项目;江苏省自然科学基金青年基金项目

在线出版日期：2021-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：125-131