期刊专题

10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.01.003

超高真空系统中的残余气体对Ga0.75Al0.25N阴极表面光电性质影响的研究

引用
根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75A10.25N(0001)表面的吸附模型.利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附.结果表明,残余气体提高了表面功函数.功函数的变化是由吸附质与表面之间的偶极矩引起的,残余气体与阴极材料形成由体内指向表面的偶极矩,不利于光电子的逸出.在紫外波段,残余气体吸附表面的吸收系数小于Cs原子吸附表面的吸收系数.

Ga0.75Al0.25N(0001)表面、密度泛函理论、残余气体、功函数、吸收系数

41

O462.3(真空电子学(电子物理学))

国家自然科学基金;江苏省自然科学基金青年项目

2021-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

17-21,55

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

41

2021,41(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn