p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件制备及其特性的研究

摘要：

采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n-GaN上制备了p-NiO/MQWs/n-GaN异质结发光器件.通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV-2700)等测试系统对制备的NiO层结构、形貌及光学特性进行了测试,结果表明NiO薄膜具有较好的结晶质量.对p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件进行了电流-电压(I-V)特性和电致发光(EL)特性测试.I-V特性测试结果显示,器件具有明显的整流特性,开启电压约为2.9V.EL特性测试结果显示,该器件实现了室温下的蓝紫光发射,结合GaN的光致发光(PL)谱和器件的能带结构图,对器件的电致发光机理进行了深入研究.

关键词：NiO、量子阱、磁控溅射、电致发光

所属期刊栏目：40

分类号：TO475

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;河南省高等学校重点科研项目;河南省高等学校青年骨干教师培养对象项目;河南省高校省级大学生创新创业训练计划项目;河南科技大学大学生研究训练计划;河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划项目

在线出版日期：2020-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：180-185