10.19453/j.cnki.1005-488x.2020.03.003
基于石墨烯场效应晶体管的光电混频器研究
研究了基于石墨烯场效应晶体管(GFET)的光电混频器(Optoelectronic Mixer,OEM).器件采用叉指电极结构,增大了器件的光吸收效率,并避免了顶栅结构栅金属对光的反射作用.采用基于7.62 cm硅基GFET的圆片工艺,实现了栅长为1μm共8指的器件制备.测试结果表明,器件的工作频率达到20 GHz.在20 GHz工作频率下,器件光探测响应度达到2.8 mA/W,光载20 GHz射频变换到1 GHz中频的混频效率为-15.87 dB.
石墨烯场效应晶体管、光电混频器、叉指电极、混频效率
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TN29(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金项目No.61874104
2020-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
166-169,175