期刊专题

10.19453/j.cnki.1005-488x.2020.01.003

基于端面耦合的InP基激光器/硅光波导混合集成技术研究

引用
针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题,提出了一种1.55μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法.使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺,设计并制备了倒拉锥型端面耦合器,与锥形透镜光纤耦合效率为36.7%.采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8%,1 dB耦合对准容差横向为1.2 μm,纵向为0.95 μm.

InP基激光器、硅光波导、端面耦合、混合集成

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TN256;TN491(光电子技术、激光技术)

2020-05-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

40

2020,40(1)

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