FFS液晶显示模式下残像的非对称电压补偿研究

摘要：

通过非对称电压补偿方法研究了FFS模式下的残像现象.实验结果表明在不更换盒内材料的情况下,非对称电压补偿可以快速有效地改善残像问题.同时研究了不同的材料、不同的像素结构对应的实际补偿电压.结果 显示随着配向膜电阻的增加,补偿电压有增大趋势(0.1V到0.3V),正负性液晶以及不同像素结构(公共电极层分别位于最上层和中间层,Top/Mid com)呈相反趋势(+0.3V和-0.3 V),且不同于以往的研究,最终的残像结果负性液晶好于正性液晶.不同的彩膜平坦化层材料对应的补偿电压也有较明显差异.研究为FFS液晶显示模式残像的快速改善提供了参考.

关键词：残像、边缘场切换技术、挠曲电效应

所属期刊栏目：39

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2020-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：285-288