倒置QLED器件中氧化锌电子传输层的镁掺杂效应

摘要：

基于2,7-二辛基”1”苯并噻吩并”3,2-b”苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al),研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规律和机制.镁离子掺杂可以在一定范围内线性调控电子传输层的光学带隙,同时有效改善薄膜的表面形貌,从而提高与发光层之间的界面质量.实验发现,相对于未掺杂的ZnO薄膜,Mg0.09Zn0.91O薄膜的表面粗糙度和表面能显著下降,光学带隙则提高了0.2 eV,相应的以电子漂移为主的电导率显著下降.进一步通过调控复合发光层中的主客体比例,可以调节空穴注入比,改善载流子传输的平衡性.采用Mg0.09Zn0.91O薄膜作为电子传输层的主客体复合发光层具有更高的荧光量子效率和PL荧光寿命.研究为开发相应的倒置结构电致发光器件提供了坚实的实验依据.

关键词：倒置结构、MgxZn1-xO、2、7-二辛基”1”苯并噻吩并”3、2-b”苯并噻吩、CsPbBr3

所属期刊栏目：39

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目JZ2018YYPY0300

在线出版日期：2020-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：269-274