H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究

摘要：

采用氢(H)扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究.氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现.实验结果显示,在栅电极图形化后,是否继续进行栅介质刻蚀对器件性能有较大影响.对刻蚀了SiO2栅介质层的器件,发现其泄漏电流较大,这可能是由于有源层侧壁的刻蚀残留物导致的;短沟道器件阈值电压偏负且在经过退火后迁移率减小,则是由于严重的H横向扩散导致的.对未刻蚀SiO2栅介质层的器件,发现其阈值电压相对偏正,应该是因为SiO2栅介质对H的掺杂有一定的阻挡作用,导致H的横向扩散得到了抑制;器件在经过退火后迁移率上升,开态电流增大,应该是因为未刻蚀栅介质中的H热扩散到下方的源漏区域,降低了源漏电阻.

关键词：非晶铟镓锌氧薄膜晶体管、自对准顶栅、栅介质刻蚀、氢掺杂

所属期刊栏目：39

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2019-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25