SOI基微环滤波器的可调谐性研究

摘要：

研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响.本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218 μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0～26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性.

关键词：绝缘体上硅、微环谐振器、马赫-曾德尔干涉仪、可调谐性

所属期刊栏目：39

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

资助基金：微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金项目6142803040105

在线出版日期：2019-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4-9