MgAl2O4绝缘性的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl2O4体系.缺陷形成能的结果表明,Oi4和Vo分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl2 O4的导电性.电子结构的结果表明,Oi4在价带顶和导带底均引入能级,VO在禁带中引入深能级,分别存在这两种本征缺陷的MgAl2O4依然保持良好的绝缘性.

关键词：第一性原理、MgAl2O4、缺陷形成能、电子结构

所属期刊栏目：37

分类号：TN141.9(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金;深圳市重点实验室提升计划;国家科研启动基金

在线出版日期：2018-01-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：240-243,284