10.19453/j.cnki.1005-488x.2017.02.006
SOI基级联双微环滤波器研究
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能.采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74 μm.测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238 nm,1 550 nm波长附近的抑制比大于10 dB.通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4 V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性.
绝缘衬底上硅、微环谐振器、光栅耦合、可调谐
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TN256(光电子技术、激光技术)
2017-07-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
104-107,111