利用光致发光技术研究多晶硅片厚度对太阳电池性能的影响

摘要：

利用光致发光技术对两种厚度的多晶硅片进行缺陷检测并分类,在缺陷比例相同的条件下分析了硅片厚度对太阳电池性能的影响.薄(175 μm)太阳电池在开路电压、短路电流、转换效率方面明显低于同等缺陷的厚(190 μm)电池,即硅片厚度的降低会引起电池性能的下降.此外,厚度降低后,低缺陷硅片的电池效率损失大于高缺陷硅片.

关键词：光致发光、多晶硅片、厚度、缺陷比例、效率损失

所属期刊栏目：36

分类号：TM615(发电、发电厂)

资助基金：河北省科技支撑计划15214303D

在线出版日期：2016-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：55-58