不同电子阻挡层的紫光LED特性研究

摘要：

通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400 nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响.APSYS软件的模拟结果显示,10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层对光输出功率(LOP)的提升优于单层p型AlGaN电子阻挡层.为验证理论模拟结果,使用MOCVD系统制备了三种紫光LED外延片,并将外延片加工成紫光芯片,分析了不同电子阻挡层对紫光LED光电性能的影响.实验的光电测试结果显示,带有10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层的400 nm紫光LED发光效率高于另外两种紫光LED,在输入20 mA电流条件下,其光输出功率为21 mW,具有商用价值.

关键词：氮化镓、紫光发光二极管、电子阻挡层、发光效率

所属期刊栏目：35

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2016-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：253-257,262