数值模拟提高μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的界面载流子传输质量

摘要：

通过使用AFORS-HET软件模拟透明导电膜(TCO)的功函数对能带结构的影响,以及能带失配的影响,载流子的运动和分布来分析和讨论界面处载流子传输性能.结果表明界面处的能带失配和透明导电膜的功函数强烈的影响载流子的传输质量和太阳能电池的性能.当导带失配在μc-Si:H(n)/c-Si(p)界面低于0.3eV,透明导电膜的功函数在TCO/μc-Si:H(n)界面低于4.3eV并且导带失配在c-Si(p)/BSF界面为0.25eV时,模拟具有纹理结构的TCO/μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si: H(p+)/TCO太阳能电池的Voc为775mV,Jsc为42.03mA/cm2,FF为75％,而效率达到了24.43％.这说明进一步深入的理解太阳能电池的界面传输机理可以提高太阳能电池界面载流子传输质量和电池效率.

关键词：能带失配、界面传输质量、异质结、功函数

所属期刊栏目：35

分类号：TM914.4

在线出版日期：2016-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：246-252