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10.3969/j.issn.1005-488X.2015.03.011

背腐蚀在N型晶体硅太阳电池生产中的应用

引用
采用湿化学方法对硅片背面抛光钝化,研究背腐蚀对硅片各项性能、电池电性能的影响.通过分析腐蚀后硅片表面形貌、反射率及电池电性能的变化,发现腐蚀降低了硅片表面粗糙度,增大背面反射率,内量子效率中长波光的响应增强;抛光使得金字塔棱角变得更平滑,降低硅片表面电子空穴复合速率,增大了有效少子寿命,开路电压和短路电流密度分别增加了3 mV和0.3J/cm2,电池效率提升了0.3%,最高可达到19.5%.

硅太阳电池、背腐蚀、内量子效率、转换效率

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TM919.4

国际科技合作项目2015DFE62900

2015-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

191-194,199

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光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

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2015,35(3)

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