可见-近红外响应InGaAs光电倍增管

摘要：

光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大.基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延In-GaAs,将三代光电阴极截止波长从920 nm拓展至1100 nm,阴极积分灵敏度340 uA/lm,光谱峰值830 nm,1000 nm辐射灵敏度6.2 mA/W,InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平.在内置2块微通道板后,整管电子倍增系数大于105.

关键词：负电子亲和势光电阴极、GaAs、InGaAs、光电倍增管

所属期刊栏目：35

分类号：O46;O43

在线出版日期：2015-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：115-117