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10.3969/j.issn.1005-488X.2014.04.016

微晶硅/晶体硅/微晶硅异质结太阳能电池窗口层的模拟计算与优化

引用
采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了不同工作温度下,微晶硅窗口层对μc-si(p)/c-si(n)/μc-si(p+)异质结太阳能电池性能的影响,结果表明:随着微晶硅窗口层带隙的增加,转化效率先增加后下降、开路电压不断增加;掺杂浓度的增加,电池性能整体呈现先上升后小幅下降的趋势;厚度的增加,电池的性能整体上呈现下降的趋势.随着工作温度的增加,微晶硅窗口层对应的最佳厚度和掺杂浓度值都有明显的减小趋势;但其对应的最佳带隙有明显的增加的趋势.该实验结果为在不同温度下工作的电池提供了商业化生产的实验参数.

异质结太阳能电池、温度、微晶硅窗口层

34

O433.4;S123(光学)

2015-01-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

288-294

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光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

34

2014,34(4)

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