单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真

摘要：

二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径.首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态.同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(kink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解.

关键词：多晶硅薄膜晶体管、二维器件仿真、陷阱态密度

所属期刊栏目：31

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：教育部科学技术研究重点项目211206;中央高校基本科研业务费专项资金资助21611422;广东高校优秀青年创新人才培养计划育苗工程项目LYM10032

在线出版日期：2012-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：157-161