晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究

摘要：

以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理.对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用.硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加.随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合.只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化.降低功率,能有效降低I2100继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能.实验中样品氢化处理较优化的条件为550℃,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%.

关键词：氢钝化处理、多晶硅薄膜、机制

所属期刊栏目：30

分类号：O539(等离子体物理学)

在线出版日期：2010-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：172-178