薄膜厚度对直流溅射制备AZO薄膜的特性影响

摘要：

采用直流磁控溅射法,当衬底温度为室温时,在普通玻璃衬底上制备出了低电阻率、高透过率的ZnO:Al透明导电薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜结构以及光电特性影响.当薄膜厚度为930 nm,薄膜的光电特性最好,电阻率为4.65×10~(-4)Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为85.8%,禁带宽度约为3.51 eV.

关键词：直流磁控溅射、薄膜厚度、光电特性、禁带宽度

所属期刊栏目：29

分类号：TN305.8;TN305.92(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60676041;山东省自然科学基金资助项目Y2008 A 37

在线出版日期：2010-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：261-264