新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究

摘要：

在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO_2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO_2/np晶硅SINP结构光电池.高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征.并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算.结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器.

关键词：氧化铟锡、SINP硅光电池、C-V/I-V特性、光谱响应、响应率

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60876045;上海市重点学科建设项目S30105;上海市教委创新基金08YZ12;SHU-SOEN's PV联合实验室基金资助项目SS-E0700601

在线出版日期：2010-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：217-225