氧化锌基薄膜晶体管最新研究进展

摘要：

ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-Si:H TFT的下一代MOSFET,在最近几年受到广泛的关注.简单介绍了ZnO基TFT的结构、原理、各层材料的作用、要求和制造方法以及可靠性研究,包括时间、温度和可见光或紫外光辐照以及偏压作用对器件特性的影响方面的最新进展,分析了实现产业化尚需克服的问题.

关键词：ZnO基薄膜晶体管、最新进展、产业化

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：217-226,231