10.3969/j.issn.1005-488X.2006.03.009
水蒸气分压强对ITO薄膜均匀性和光电性能的影响
直流磁控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜的过程中,在衬底温度为60℃其它工艺参数不变的情况下,通过改变通入的水蒸气分压0~6.67×10-3 Pa制备了不同结构的薄膜,研究了水蒸气分压对ITO薄膜电阻率和膜厚的均匀性,光电特性,以及晶体结构的影响.水蒸气的引入可以改善ITO薄膜的电阻率均匀性和膜厚均匀性,增加了ITO薄膜的导电性,对ITO膜可见光透过率也有所提高.
氧化铟锡、磁控溅射、均匀性、光电特性
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TN3(半导体技术)
电子科技大学校科研和教改项目W050317
2006-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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