非对称绝缘层无机EL显示器件的研究

摘要：

非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构.成功制备了一批ZnS:Mn器件,其下介质层为厚100～200 nm的SrTiO3(ST)或Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)或Ta2O5薄膜,上介质层为厚600～1 100 nm的Ta2O5或ST/Ta2O5或HfO2/Ta2O5/Al2O3薄膜.发现以ST/Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L-V曲线,以HfO2/Ta2O5/Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性.

关键词：薄膜电致发光器件、不对称绝缘层、阈值电压、L-V曲线

所属期刊栏目：26

分类号：TN104.3(真空电子技术)

在线出版日期：2006-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：88-90