VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究

摘要：

用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性.OES测试结果表明:随功率增加,对应各基团峰的强度增大;结合喇曼的测试结果,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量,Raman测试结果表明相应的晶化率低.

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积、光发射谱、喇曼散射谱

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;教育部科学技术研究项目02167;国家高技术研究发展计划863计划2002303261

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：230-233