Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

摘要：

采用LBL(layer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜.即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的Cu2SnS3薄膜.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性.制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1.05 eV.

关键词：Cu2SnS3薄膜、LBL(layer-by-layer)法、结构特性、光学特性

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50172061

在线出版日期：2005-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：151-155,158