硅紫外增强光伏探测器件中的异常光电特性

摘要：

实验发现某些UV-110硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降,在一定入射光强下出现峰值.实验和理论分析指出,这种异常光电特性的产生是由于器件中存在一个与主结方向相反的寄生PN结,寄生结是Al电极和n-Si衬底之间合金化工艺控制不当而引入的肖特基结.

关键词：光伏探测器件、开路电压、肖特基势垒

所属期刊栏目：24

分类号：TN364(半导体技术)

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20