10.3969/j.issn.1005-488X.2004.01.004
非晶硅光电导层交流电阻率的研究
利用等效电路,估算出高性能液晶光阀对非晶硅光电导层交流电阻率的要求.用化学气相沉积法在最佳工艺条件下制备了非晶硅薄膜,测量了样品的交流电阻率.结果表明,非晶硅薄膜的交流电阻率随照射光的波长增大而先减小后增大,随功率密度、衬底温度和射频功率的增大而减小.样品的交流电阻率满足高性能液晶光阀光电导层的要求.
非晶硅、交流电阻率、液晶光阀、光电导层
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O484.1(固体物理学)
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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