多孔硅M/PS结的研究

摘要：

对不同金属形成的M/PS/Si/Al结构样品进行测试,发现其I-V特性曲线具有相似的形状,区别仅在于高偏压下的串连电阻不同,通过进行表面态对M/PS影响的分析可知M/PS具有欧姆行为特性.

关键词：多孔硅、I-V特性

所属期刊栏目：23

分类号：O472+.8(半导体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：24-26