n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究

摘要：

本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能.

关键词：异质结、反向饱和电流密度、退火处理

所属期刊栏目：21

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59872037;安徽省自然科学基金98641550

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：36-38